臺半 打入輝達Rubin鏈

輝達全新Rubin平臺問世，算力與功率規格同步拉昇，引爆高壓直流（HVDC）需求大開，二極體暨功率元件廠臺半（5425）透旗下Super Junction與碳化矽（SiC）MOSFET產品，獲得電源大廠採用，大咬輝達Rubin平臺大商機。

業界指出，AI資料中心功耗快速攀升、電力系統加速由傳統AC架構轉向HVDC，使得功率半導體需求出現結構性成長。

臺半看好上述趨勢，積極強化中高壓與第三代半導體佈局，旗下Super Junction與碳化矽MOSFET陸續打入電源大廠供應鏈，預計今年將放量出貨，推升營運動能。法人預期，臺半今年營收可望年增一成以上。

業界指出，新一代AI伺服器與機櫃功耗動輒突破200kW，未來甚至挑戰600kW，爲降低多次AC／DC轉換造成的能源損耗，資料中心電力系統正加速導入HVDC架構。從高壓電力進入資料中心，到配電系統與機櫃電源模組，均需大量高效率、高耐壓功率元件，帶動中高壓MOSFET、Super Junction與第三代半導體需求快速升溫。

臺半因應電力架構翻轉趨勢，近年持續調整產品結構，由過去主力40V至60V MOSFET，推進至80V至100V MOSFET，並切入AI電源應用所需的Super Junction MOSFET，同時佈局碳化矽650V至1200V產品線。

法人表示，臺半部分中高壓與碳化矽產品已取得客戶認證，並陸續送樣切入電源供應鏈，今年起將逐步出貨，爲公司開啓切入AI電源市場關鍵。

除AI資料中心應用，臺半長年深耕車用與工控市場，產品涵蓋車用電子、充電樁、儲能系統與工業設備。法人認爲，先前受歐美市場保守拉貨與總經環境影響，臺半營運承壓，隨車用與工控庫存逐步去化、回到健康水準，臺半車用業務已走出谷底，功率元件出貨回升，高毛利產品營收佔比將快速提升。

從產品線來看，臺半除持續放量40V MOSFET之外，60V MOSFET亦已進入量產階段；在高壓防護元件方面，650V TVS二極體已完成開發並開始放量，並正推進1000V TVS產品，鎖定充電樁與高壓電力應用。隨高毛利產品比重提高，法人看好臺半2026年營收、獲利有機會高雙位數成長。