聯電傳在日生產記憶體 結合力旺關鍵IP、電路設計技術

全球儲存型快閃記憶體（NAND Flash）大缺貨，市場傳出，日本記憶體龍頭來臺尋求產能支援，由聯電日本廠搭配力旺關鍵IP與電路設計，將生產2D NAND晶片。 路透

全球儲存型快閃記憶體（NAND Flash）大缺貨，市場傳出，日本記憶體龍頭來臺尋求產能支援，由聯電（2303）日本廠搭配力旺（3529）關鍵IP與電路設計，將生產2D NAND晶片，聯電也搭上當紅的記憶體熱潮，更是臺灣半導體史上首度在日本生產記憶體。

聯電近期才宣佈下半年起調漲成熟製程代工價，如今有記憶體新業務助威，法人看好帶動聯電營運轉骨。對於相關消息，聯電不予評論，至截稿爲止，力旺尚未迴應。聯電將在29日舉行法說會，市場高度關注記憶體新業務發展。

業界人士指出，聯電主攻邏輯晶圓代工，也有嵌入式快閃記憶體（eFlash）製程基礎，長年佈局於40奈米、55奈米及28奈米平臺，力旺提供嵌入式記憶體IP與相關設計支援，包含OTP、MTP及安全架構延伸至NAND應用，協助聯電快速建立製程與產品基礎。不同於過往單純晶圓代工，雙方此次合作更偏向「IP＋製程整合」模式，有助縮短技術導入時程，加快良率爬升效率。

聯電搭上記憶體熱潮列車的關鍵，主因包括鎧俠等一線NAND大廠紛紛退出2D NAND製造，全力發展高階3D NAND，2D NAND晶片廣泛應用於車載、消費性電子、嵌入式設備、工業工控與衆多長生命週期終端產品，市場需求仍大，一線大廠退出後，供應缺口擴大，日系大廠因而找上聯電協助。

消息人士透露，聯電將在日本12吋廠USJC量產2D NAND，涵蓋MLC與SLC等規格，下半年試產、明年量產。據悉，日本USJC廠前身爲富士通三重12吋晶圓廠，長期具備邏輯與記憶體制造經驗，且在車用與工業應用領域深耕多年，被視爲承接低密度記憶體代工的理想基地，且USJC具備成熟製程與品質控管優勢，特別適合切入45/40奈米世代MLC NAND產品，有助聯電在不影響主力邏輯產能下，靈活調配資源。

消息人士補充，日本記憶體大廠着眼於長期供應穩定性與地緣政治風險分散，選擇與聯電合作建立替代產能，在既有供應鏈收縮下，相關成熟NAND市場規模仍具可觀商機，尤其車用與工業應用對產品生命週期要求長達十年以上，更強化代工需求。

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