三星喊推1奈米再槓臺積 2030年前到位、量產

三星晶圓代工再次槓上臺積電。法新社

三星晶圓代工再次槓上臺積電（2330）。外電報導，三星率先喊出2030年前1奈米制程到位並進入量產階段，成爲業界首家揭露1奈米生產節點計劃的廠商，與臺積電爭奪話語權。

相較之下，臺積電尚未公佈1奈米生產藍圖。對於三星搶先揭露1奈米相關時程，至昨（31）日截稿前，臺積電沒有進一步評論。

臺積電目前對外公佈的最先進製程技術發展計劃，是邁入「埃米時代」的下一代先進邏輯製程A14（1.4奈米），預計2028年生產。

臺積電強調，A14製程技術旨在透過提供更快的運算和更好的能源效率，來推動AI轉型，亦有望透過增進裝置端AI功能來強化智慧手機功能，使其更加智慧。

臺積電先前指出，A14製程技術截至目前開發進展順利，良率表現優於預期進度，搭載超級電軌技術（SPR）的版本計劃於2029年推出。

此外，臺積電隸屬於2奈米家族A16製程計劃2026年下半年量產。A16是臺積電邁入埃米制程的第一站，先前業界傳出，OpenAI自家ASIC晶片由博通、邁威爾（Marvell）等美商合作開發，並在臺積電3奈米與A16製程投片生產。

臺積電投入A16與更先進的A14製程研發之際，外電報導，三星積極追趕，傳出已訂下「2030年導入1奈米制程」的遠大目標，與臺積電正面交鋒，搶攻1奈米時代主導權。

韓媒《BusinessKorea》報導，產業人士透露，三星晶圓代工部門已規劃於2030年前完成1奈米制程研發，並進入量產階段。由於1奈米制程的電晶體密度是2奈米的兩倍，製程難度明顯升高，被視爲晶片微縮技術的重要里程碑。

報導指出，爲了突破製程微縮的物理極限，三星1奈米制程的主力架構將從現行「環繞式閘極（GAA）」轉移至「叉型片（fork sheet）」結構，透過在奈米片之間加入絕緣層，進一步提升電晶體密度，達到改善功耗及效能的目標。

韓媒先前報導，由於AI對高階晶片需求殷切，三星持續加碼研發與資本支出，2025年投入總額已達90.4兆韓元，2026年將再增加22%，顯示三星急欲追趕甚至超越競爭對手，在AI晶片與高頻寬記憶體（HBM）等新興領域搶佔更多話語權。

三星亦同步優化現有先進製程，積極爭取重量級客戶訂單。產業人士指出，三星已開發客製化2奈米制程「SF2T」，主供特斯拉次世代AI晶片AI6，預計2027年於三星德州新廠量產。