三巨頭死命擴產救不了記憶體荒？ DRAM缺口直逼4成

儘管三星等大廠加緊擴產，仍難以解決全球DRAM市場的供給危機。（示意圖：shutterstock/達志）

在人工智慧（AI）需求快速擴張的背景下，全球記憶體市場正面臨結構性供需失衡。多方數據顯示，即使主要製造商全面擴產，到2027年全球DRAM供給仍僅能滿足約60%的需求，短缺態勢恐將延續數年，價格上行壓力也難以緩解。

《日經亞洲》報導中指出，這一輪供應緊張的核心，不僅在於需求暴增，更來自產能增長無法跟上。市場普遍預期，短期內難見供需迴歸平衡，產業鏈上下游已開始提前調整策略應對。

根據市場調查機構Counterpoint Research的資料，若要讓DRAM供應逐步恢復正常，至2027年前每年產能需成長12%。然而，現階段主要廠商的投資規劃，僅能支撐約7.5%的年增速，兩者之間存在明顯落差。

這個結構性差距，意味着即使三星、SK海力士與美光持續擴建新廠與產線，短期內仍難以有效填補市場缺口。加上晶圓廠建設與產能釋放本身具有周期性，供應端的改善進度將進一步延後。

目前市場已提前反映這種壓力。記憶體價格出現顯著上升，零售與終端供應逐漸吃緊，產業鏈正進入一個需長期應對短缺的階段。

與過往不同，本輪記憶體短缺的關鍵變數在於AI。資料中心與AI基礎設施對高效能記憶體的需求持續擴大，並提前鎖定大量產能，甚至出現預訂全年供應的情況。

在此情況下，PC與智慧型手機市場首當其衝。由於可分配的DRAM資源有限，消費電子領域的供貨持續緊縮，終端廠商被迫調整採購與備貨策略。

同時，製造商的產品結構也出現明顯轉向。包括三星在內的主要廠商，已逐步停止DDR3、DDR4與LPDDR4等傳統產品生產，將資源集中於HBM與SOCAMM2等AI相關高階產品。這種轉變進一步壓縮一般市場的供應空間，使短缺問題更加明顯。

從供應端來看，三星、SK海力士與美光仍持續推進擴產計劃。3大廠目前合計掌握全球約91%的DRAM市場，其中三星佔36%、SK海力士32%、美光23%，市場高度集中。

三星正推進平澤園區第4廠建設，採用第六代10奈米級製程，首期預計今年底投產，整體工程預計於明年第1季完成。而針對AI需求的第5廠，則預計要到2028年之後纔會啓用。

SK海力士方面，清州M15X廠已開始量產，產能將逐步提升，並同步推進龍仁半導體聚落新廠建設。美光則規劃在美國、新加坡量產HBM，同時於日本廣島建設新晶圓廠，預計2028年開始量產。

此外，中國廠商也積極擴張產能，試圖填補市場缺口，但整體供應改善仍需時間累積。

綜合供需兩端發展，DRAM市場的短缺已從週期性波動，逐步轉爲結構性問題。需求端由AI持續拉動，供給端則受限於產能增速與建廠週期，使缺口難以快速收斂。

在這樣的情況下，記憶體價格上行壓力將持續存在，PC與智慧型手機等終端市場仍需面對供應緊張的現實。即使擴產計劃持續推進，市場普遍預期，在2027年前後，供需仍難達到平衡狀態。