大摩示警傳統 NAND 下半年供給缺口恐達40%

摩根士丹利。 路透

摩根士丹利（大摩）證券指出，舊世代的MLC與TLC NAND在2026年下半年可能將面臨更嚴重的供給短缺，缺口甚至可能達到約40%，因此在記憶體產業中，仍偏好舊世代NAND優於DDR4。

臺廠中，大摩最看好旺宏（2337），因預期最能受惠於此波供給短缺的機會，因此列爲「首選」；在DRAM領域，則看好愛普*（6531）具備新成長動能；而力積電（6770）在與美光（Micron）合作後，預計2027年將轉型爲DDR4 8Gb與16Gb供應商。

大摩科技產業分析師顏志天在最新釋出的「大中華半導體產業」報告中指出，傳統快閃記憶體很可能成爲「下一個DDR4」。由於成熟製程NAND正面臨結構性供給短缺，與目前DDR4的情況不同，因爲全球主要供應商持續縮減供給。

即便價格上漲，MLC NAND需求仍具韌性，主要受惠其相較TLC／QLC更高的耐用性、以及工業與企業應用對價格敏感度較低。因此預期MLC NAND在下半年將面臨更嚴重的供給短缺，供不應求程度可能達約40%。

此外，顏志天並預估MLC（及成熟製程TLC）價格將自2026年第1季至第4季上漲超過200%。因此在記憶體產業中，偏好舊世代NAND優於DDR4。臺廠中，記憶體股的首選由華邦電（2344）轉移至旺宏。

而在DDR4部分，隨着價格漲勢延續至3月，中小型客戶開始出現反彈，供應商也傾向出售庫存而非延後出貨，顯示後續上行空間有限。因此日前已將華邦電、南亞科（2408）等評等降至「中立」。

此外，在供給面，DDR4價格高漲，可能促使主要供應商擴充產能或延後產品退場，如華邦電計劃今年將DRAM位元出貨量翻倍、南亞科也將於2027年下半年導入新產能、長鑫存儲則計劃於2027年將DDR4產能提升逾一倍。

但在需求面，由於DDR4價格高漲，可能已對部分消費性需求造成破壞（如智慧型手機與PC）。此外，DDR4缺乏直接的AI應用，因此無法直接受惠於AI工作負載帶動的記憶體需求成長。

而有關南亞科私募一事，顏志天認爲私募主要指向eSSD與交換器需求，因而投資對「舊世代記憶體」仍偏正面情緒。而繼南亞科後，顏志天大膽預測華邦電未來也有進行私募的可能性。